エレキットお馴染みの配線用ピンです。このピンのおかげで配線を基板に半田付けする際の半田付け不良が少なくすることができると思います。
しかし、この基板ではピンの間隔が若干狭くピンのベースが隣のピンのベースに当たってしまうため写真のように片側のベースをカットしました。

A基板のベースピンを取り付けました。TU-879よりも遙に多くのピンがあり、結構大変です。このピンを付けるときには、箱の中に入っていた段ボールを敷いて行いました。そうすればテーブルが傷つかなくて済みます。

A基板のベースピンの取り付けが済み、ピンを半田付けしていきます。ここではしっかりと半田を流し込んでいきます。

D基板のベースピンの取り付けです。A基板より更に多くのピンがあります。根気よく取り付けていきます。
このピンは数本余分に入っていました。

D基板のベースピンの取り付けが済み、ピンを半田付けしていきます。ここではしっかりと半田を流し込んでいきます。

A基板に抵抗とコンデンサの取り付けをします。金属皮膜抵抗は基板から浮せるように取り付けをします。セメント抵抗は浮くようにリードに工夫がしてあります。
SGと書かれているところは薄く半田メッキをしておきます。
段間のカップリングコンデンサはポリプロピレンコンデンサを使用しています。入力のカップリングコンデンサは低耐圧のフィルムコンデンサでした。後にこれをSIEMENSの積層フィルムコンデンサに交換しました。

A基板に六角スペーサを取り付けました。先にSGラウンドに半田メッキした所にもスペーサが付き、こことシャーシが繋がるようになっています。

A基板に真空管のソケットを取り付けます。この時、2A3のソケットは穴に対してソケット電極がずれていることがありますので、穴の中心に電極が来るようにしておきます。

B基板に発光ダイオードと発光ダイオード用の抵抗と音量調整用可変抵抗を取り付けます。
発光ダイオードは取り付け方向を間違えると光りません。
可変抵抗は100KΩのBタイプが付いています。TU-879も同じでしたが出力が大きいTU-879ではAカーブの方がいいと思います。小さいこの可変抵抗ですがギャングエラーも少なく優れ物です。

D基板にブリッジダイオード(ヒータ・フィラメント回路用)とリップルフィルタのMOS-FET(高圧回路用)を取り付けます。取り付けるときには向きを間違えないようにすることと、半田付け後にダイオードを固定していたビス・ナットを外すこと、FETのナットを外すことを忘れないようにします。そうしないとシャーシに組み込めなくなります。

D基板の反対側にブリッジダイオード(高圧回路用)を取り付けます。TU-879は新電元のダイオードでしたが、TU-872では違うメーカのダイオードです。回路図には「1Q4B42(1200V1A)TOSHIBA」となっていますが、実物は「DF10M(1000V1.5A)fairchild」でした。電圧的には何ら問題はありません。

D基板にCR、ヒューズソケットなどを取り付けます。パーツには変更用のパーツが入っていました。リップルフィルタ回路のR33の定数が変っていています。R33は変更された抵抗を取り付けます。
またヒータ・フィラメントの平滑コンデンサを充電するために大電流が流れますが、電源SWを入れてから約0.5秒後にリレーがオンになり突入電流を防止するようになっています。

E基板に入力端子、テープ・録音端子を取り付け半田付けします。
また入力切り替えなどの配線用の15線のケーブル付きコネクタを半田付けします。15線のケーブルは1番ピンのケーブルの色が違いますので間違わないようにします。

D基板と電源トランス、ACケーブル、電源SWケーブル、A基板への電源ケーブルを配線します。交流系のケーブルは良く捩りますが、捩り方はそれぞれが同じにならないようにして相互の誘導が最小限になるように工夫をします。